منبع تغذیه با مجنترنس پالس
● پالس مجنترنس قدرت تامین مزایای استفاده از بالا قدرت پالس مجنترنس پوشش دهی الکترواستاتیک فن آوری (HIPIMS) پر قدرت متعارف قدرت دی سی برای ضربه مجنترنس استرس حرارتی هدف محدود شده است. ● بیشتر از انرژی collisional یون می تواند به طور مستقیم تبدیل به انرژی حرارتی از...
- معرفی محصول
مزایای بالا قدرت پالس مجنترنس تکنولوژی پوشش دهی الکترواستاتیک(HIPIMS)
● متعارف قدرت دی سی برای ضربه مجنترنس استرس حرارتی هدف محدود شده است.
● بیشتر از انرژی collisional یون می تواند به طور مستقیم تبدیل به انرژی حرارتی از هدف.
● منبع قدرت پالس مجنترنس پالس بالا قدرت و دوره کم کاری را تضمین می کند.
● مجنترنس پالس منبع قدرت به طور مستقیم می تواند مجنترنس DC منبع تغذیه سبتّرنج جایگزین.
مقايسه قدرت بالا پالس مجنترنس پوشش دهی الکترواستاتیک تخلیه و DC مجنترنس تخلیه پوشش دهی الکترواستاتیک
ویژگی های بالا قدرت پالس مجنترنس تخلیه پوشش دهی الکترواستاتیک | ویژگی های Dc مجنترنس تخلیه پوشش دهی الکترواستاتیک |
ولتاژ تخلیه کاتد است 500 ~ 2000 V, چگالی جریان الکتریکیاست تا 3 ~ سانتی متر/4A2. | شدت میدان مغناطیسی 0.01 است ~ 0.05 T در حالی که ولتاژ کار است 300 ~ 700 V تحت معمولی مجنترنس DC فشار کار پوشش دهی الکترواستاتیک (1 ~ 10 mTorr). |
چگالی الکترون نزدیک سطح بستر: 1018~ 1019m-3 | چگالی الکترون نزدیک سطح بستر: 1015~ 1016m-3 |
تراکم قدرت: 1 ~ 3kW/cm2 | یونیزاسیون کم سرعت (~ 1%) از هدف در طول پوشش دهی الکترواستاتیک. |
فرکانس: 100 ~ 1000Hz | یون های گاز در اکثریت هستند |
دوره کاری: 1% ~ 10% | تجهیزات اضافی یونیزاسیون کمکی (RF مایکروویو) مورد نیاز است. |
ویژگی های بالا قدرت پالس مجنترنس منبع قدرت پوشش دهی الکترواستاتیک
●الکترود مثبت و منفیتخليه با سرعت بالا تبدیل به اجتناب از آن وارد منطقه تخلیه قوس از منطقه تخلیه درخشش غیر طبیعی از مجنترنس سنتی پوشش دهی الکترواستاتیک کنترل می شود. چگالی جریان است تا در به 1018-1019 / m3 است که بسیار بالاتر از مجنترنس سنتی پوشش دهی الکترواستاتیک است. و با سرعت بسیار بالا یونیزاسیون از 80-99%, آن می توانید به راحتی انواع فیلم های پیشرفته با چسبندگی قوی سپرده گذاری.
● پرقدرت پالس مجنترنس پوشش دهی الکترواستاتیک قدرت فراهم می کند ویژگی های فیلم عالی بیشتر از نظر قوام فیلم، سختی، مقاومت و چسبندگی می پوشند.
● قدرت بالا پالس مجنترنس تغذیه تصویب پیشرفته اینورتر فرکانس بالا سوئیچینگ تکنولوژی های منبع قدرت و توان بالا IGBT قدرت ماژول
● تغذیهعملکرد حفاظتی برای بیش از جریان بیش از حد ولتاژ و دما است.
● منبع تغذیه کامپیوتر میزبان از طریق پورت دیجیتال مانند RS232، RS485، فای و غيره که خود تابع کنترل گسترش ارتباط با می توانید.
مشخصات محصول:
مدل محصول | |
قدرت & فرکانس (V/Hz) سه فاز و سیم چهار ورودی | AC380 N |
| 60 هرتز | |
جریان خروجیمحدوده (A) | 0 ~ 500 |
دقت مشخصات ثابت و جريان ثابت | ≤1% |
دارای خروجی ولتاژ (DCV) | 800 |
حداکثر متوسط مصرفی (KW) | 40 |
اوج قدرت (KW) | 400 |
دوره کاری (%) | <> |
وزن (کیلوگرم) | 60 |
ابعاد خارجی (میلی متر) | 575(D)×480(W)×250(H) |
عایقدرجه | ب |
بهره وری (%) | 90 |
کلاس حفاظت محوطه | Ip21 |
حالت عامل | ولتاژ ثابت, ثابت CurrentAnd حالت قدرت ثابت اختیاری هستند. |
حالت خنک کننده | آب خنک کننده |
رابط خارجی | این سری محصولات تمام اتخاذ میکروکنترلر روی صفحه نمایش لمسی |
مقايسه قدرت بالا ضربه مجنترنس پوشش دهی الکترواستاتیک قدرت منبع EP50A80H و سایر محصولات
مجنترنس ضربه پر قدرت پوشش دهی الکترواستاتیک | |||
نام تجاری | Hauzer | IKS | |
HIPIMS + | EP50A80H | ||
متوسط حداکثر قدرت | 20KW | 20KW | 40KW |
اوج قدرت | 1MW ~ 8MW | 360KW | 400KW |
ولتاژ | 1KV 2KV | 800 | 800 |
در حال حاضر | 1KA 2KA، 4KA | 600 | 500 |
تشخیص قوس | <> | <800ns ="" ="" ="" ="" ="" ="" =""> | <500ns ="" ="" ="" ="" ="" ="" =""> |
بسته بندی (B * H * T) | 483 x 635 x 676 | تهی | 480 x 268 x 700 |
مزایای استفاده از قدرت بالا پالس مجنترنس EP50A80H قدرت پوشش دهی الکترواستاتیک
●قابلیت اطمینان بالا
EP50A80H فراهم می کند ویژگی های فیلم عالی بیشتر از نظر قوام فیلم، سختی، مقاومت و چسبندگی می پوشند.
●تکنولوژی سرکوب کمان عالی
بنابراین کاربران به راحتی می تواند در کنترل کیفیت فیلم در روند درمان سطح برای دریافت بهتر ساختار فیلم EP50A80H تصویب تکنولوژی سرکوب قوس های پی اچ پی.
●نسبت قدرت به حجم بالا
نسبت حجم بالا قدرت می سازد ادغام تجهیزات نصب آسان تر برای کاربران.
نرم افزار
قدرت بالا MF مجنترنس پوشش دهی الکترواستاتیک منبع قدرت به طور گسترده ای مورد استفاده در پلاسما و فیزیکی و شیمیایی و پزشکی و زمینه های مختلف تحقیقات علمی, آن می تواند طیف گسترده ای از فرایند مورد نیاز به ویژه در تجهیزات خلاء پوشش ملاقات.
