بررسی اجمالی فناوری HiPIMS
Jun 21, 2018| تکنولوژی اسپکترومغناطیسی مگنترون به طور گسترده ای در زمینه تهیه فیلم نازک استفاده می شود. کاربرد پوشش های تزئینی و پوشش ابزار نسبتا رایج است.
با این حال، تکنولوژی پردازش اسپکترومغناطیسی دارای محدودیت های زیادی دارد. به عنوان مثال، هنگامی که جریان اسپری بزرگ است، به این معنی که چگالی قدرت یک هدف منفجره مگنترون توسط گرمای هدف هدف محدود می شود، بمباران هدف با یون های مثبت بیش از حد ممکن است باعث ایجاد گرما و گرما شود. علاوه بر این، آن نیز دارای معایب انرژی لکه دار محدود و سرعت یونیزاسیون فلز پایین است.
در سال های اخیر تکنولوژی اسپکتروم مغناطیسی پالس با قدرت بالا (HiPIMS) در داخل و خارج کشور توسعه یافته است و این محدودیت تا حد زیادی تضعیف شده است. حداکثر قدرت پاشش مگنترون پالس با قدرت بالا حدود 100 برابر بیشتر از پاشش مگنترون معمولی است. میزان یونیزاسیون مواد پرتاب شده بسیار زیاد است و این پرتو بسیار جوهری دارای ذرات بزرگ نیست. بنابراین، فیلم با کیفیت بالا می تواند به راحتی توسط تکنولوژی HiPIMS به دست آید.
از آنجا که زمان عمل پالس در عرض چند صد میکرو ثانیه است، قدرت متوسط HiPIMS قابل مقایسه با اسپکترومغناطیسی مگنترون معمولی است، به طوری که نیاز به خنک کننده هدف مغناطیسی افزایش نمی یابد. اگرچه قدرت لحظه ای اسپکتروم مغناطیسی پالس با قدرت بالا بالا است، اما قدرت متوسط آن بالا نیست، بنابراین می توان آن را به طور گسترده ای مورد استفاده قرار داد.